德國(guó)蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡Sigma 系列產(chǎn)品-華普通用
產(chǎn)品描述
蔡司Sigma
擁有高品質(zhì)成像和先進(jìn)顯微分析功能的FE-SEM
蔡司Sigma系列產(chǎn)品集場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)技術(shù)與良好的用戶體驗(yàn)于一體,助您輕松實(shí)現(xiàn)構(gòu)建成像和分析程序,同時(shí)提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質(zhì)量監(jiān)測(cè),或研究生物和地質(zhì)樣本。Sigma可實(shí)現(xiàn)高分辨率成像,它采用低電壓,能在1 kV或更低電壓下實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對(duì)比度。它出色的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可執(zhí)行高級(jí)顯微分析,以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數(shù)據(jù)。
使用Sigma系列,暢游高端納米分析世界。
Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM,是分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選。
Sigma 560采用先進(jìn)的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì),可提供高通量分析,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)原位實(shí)驗(yàn)。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
Sigma 360
分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選,直觀的圖像采集
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,均提供專業(yè)向?qū)?,為您保駕護(hù)航,助您探索直觀成像工作流。
可在1 kV和更低電壓下分辨差異,實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對(duì)比度。
可在極端條件下執(zhí)行可變壓力成像,獲得出色的非導(dǎo)體成像結(jié)果。
可在極端條件下完成可變壓力成像
用于分析和成像的NanoVP lite模式
新NanoVP lite模式和新探測(cè)器很容易在電壓低于5 kV時(shí),從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。
這樣,就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能,提供更多表面敏感信息,縮短采集時(shí)間,增強(qiáng)入射電子束流,提高能譜面分布分析速度。
aBSD1(環(huán)形背散射電子探測(cè)器)或新一代C2D(級(jí)聯(lián)電流)探測(cè)器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
直觀成像工作流為您指引方向
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,每一步都清晰明了
即使您是新手用戶,也能輕松獲得專業(yè)結(jié)果。Sigma系列獲取圖像迅速,易于學(xué)習(xí)和使用的工作流可節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間,簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后期處理的每個(gè)步驟,讓您如虎添翼。
蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動(dòng)化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。
接下來(lái),ZEN core便可大顯身手:它配備針對(duì)具體任務(wù)的工具包,適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包,它可助您基于機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行圖像分割。
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
增強(qiáng)的分辨率。優(yōu)化的襯度
光學(xué)鏡筒是成像和分析性能的關(guān)鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學(xué)鏡筒,可對(duì)任何樣品提供出色的成像分辨率,尤其是在低電壓條件下。
Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時(shí)為1.9 nm。通過(guò)大幅度降低色差,1 kV時(shí)的分辨率已提升10%以上,可達(dá)1.3 nm。
現(xiàn)在成像比以往任何時(shí)候都輕松,無(wú)論是要求苛刻的樣品,還是在可變壓力(VP)模式下采用背散射探測(cè)。
可在極端條件下完成可變壓力成像
用于分析和成像的NanoVP lite模式
新NanoVP lite模式和新探測(cè)器很容易在電壓低于5 kV時(shí),從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。
這樣,就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能,提供更多表面敏感信息,縮短采集時(shí)間,增強(qiáng)入射電子束流,提高能譜面分布分析速度。
aBSD1(環(huán)形背散射電子探測(cè)器)或新一代C2D(級(jí)聯(lián)電流)探測(cè)器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
直觀成像工作流為您指引方向
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,每一步都清晰明了
即使您是新手用戶,也能輕松獲得專業(yè)結(jié)果。Sigma系列獲取圖像迅速,易于學(xué)習(xí)和使用的工作流可節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間,簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后期處理的每個(gè)步驟,讓您如虎添翼。
蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動(dòng)化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。
接下來(lái),ZEN core便可大顯身手:它配備針對(duì)具體任務(wù)的工具包,適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包,它可助您基于機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行圖像分割。
Sigma 560
高通量分析,原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化
對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析:基于SEM的高速和通用分析。
實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化:無(wú)人值守測(cè)試的全集成實(shí)驗(yàn)室。
可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像:采集完整的樣品信息。
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
在1 kV或甚至在500 V時(shí)實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析:Sigma 560的低千伏分辨率500 V時(shí)為1.5 nm。
在新的NanoVP lite模式下,使用新型aBSD或C2D探測(cè)器在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品,加速電壓可低至3 kV。
正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀(強(qiáng)烈推薦)和可通過(guò)6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙,防止您的樣品室受到污染。
對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析
EDS:通用、高速,助您深入研究
Sigma 560的一流EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可提高分析效率。兩個(gè)180°徑向相對(duì)的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下,也能實(shí)現(xiàn)高通量無(wú)陰影元素面分布。
樣品室的附加EBSD和WDS端口可進(jìn)行除EDS外的分析。
不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析,并能獲得更強(qiáng)的信號(hào)和更高的對(duì)比度。
全新的aBSD4探測(cè)器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。
實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化
無(wú)人值守測(cè)試的全集成實(shí)驗(yàn)室
Sigma原位實(shí)驗(yàn)室是一種全集成式解決方案,它可以不依賴操作人員,通過(guò)無(wú)人值守的自動(dòng)化工作流進(jìn)行加熱和拉伸測(cè)試。
通過(guò)對(duì)納米級(jí)別的特征進(jìn)行3D分析進(jìn)一步擴(kuò)展您的工作流:執(zhí)行3D STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。
新aBSD4可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)3D表面建模(3DSM)。
對(duì)要求苛刻的樣品能夠輕松成像
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
在1 kV或甚至在500 V時(shí)實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析:Sigma 560的低千伏分辨率500 V時(shí)為1.5 nm。
在新的NanoVP lite模式下,使用新型aBSD或C2D探測(cè)器在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品,加速電壓可低至3 kV。
正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀(強(qiáng)烈推薦)和可通過(guò)6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙,防止您的樣品室受到污染。
對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析
EDS:通用、高速,助您深入研究
Sigma 560的一流EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可提高分析效率。兩個(gè)180°徑向相對(duì)的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下,也能實(shí)現(xiàn)高通量無(wú)陰影元素面分布。
樣品室的附加EBSD和WDS端口可進(jìn)行除EDS外的分析。
不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析,并能獲得更強(qiáng)的信號(hào)和更高的對(duì)比度。
全新的aBSD4探測(cè)器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。
技術(shù)
Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)
Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)由三個(gè)元件組成:物鏡、電子束推進(jìn)器和Inlens探測(cè)器。其中,物鏡的設(shè)計(jì)將靜電場(chǎng)與磁場(chǎng)相結(jié)合,大大優(yōu)化光學(xué)性能的同時(shí),降低了樣品受到的磁場(chǎng)影響。
如此也可實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品的高品質(zhì)成像。Inlens探測(cè)原理通過(guò)對(duì)二次電子(SE)和/或背散射電子(BSE)的探測(cè)來(lái)確保高效的信號(hào)檢測(cè),同時(shí)大幅縮短獲取圖像的時(shí)間。
電子束推進(jìn)器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
以靈活的探測(cè)獲取清晰圖像
Sigma配備了一系列不同的探測(cè)器,通過(guò)新探測(cè)技術(shù)對(duì)您的樣品進(jìn)行表征。
使用ETSE和Inlens探測(cè)器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。
使用VPSE或C2D探測(cè)器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。
使用aSTEM探測(cè)器可進(jìn)行高分辨率透射電子成像。
采用不同的可選BSE探測(cè)器,如aBSD探測(cè)器,可以深入研究樣品的成分和表面形貌。
標(biāo)準(zhǔn)VP(左)和NanoVP lite(右)模式,氣體分布(粉紅色),電子束裙邊(綠色)。
NanoVP lite模式
采用NanoVP lite模式進(jìn)行分析和成像,在低電壓條件下可獲得更高的圖像質(zhì)量,更快速地獲取更準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)。
在NanoVP lite模式下,裙邊效應(yīng)降低且電子束的氣體路徑長(zhǎng)度(BGPL)減小。裙邊減小會(huì)提高SE和BSE成像的信噪比。
帶有五象限的可伸縮式的環(huán)形aBSD可提供出色的材料成分襯度:在NanoVP lite工作過(guò)程中,該探測(cè)器配備了安裝在極靴下方的束流套管,其可提供低電壓下的高通量高襯度成分和表面形貌成像,適用于可變壓力和高真空條件。